博大精科
博大精科
当前位置:首页 » 资讯中心 » 产品专题 » 三星生产线跳电 DRAM、NAND供应吃紧

三星生产线跳电 DRAM、NAND供应吃紧

文章出处:博大精科网责任编辑:szbdjk作者:szbdjk 人气:-发表时间:2011-05-31 15:52:00

  DRAM龙头大厂三星半导体24日下午生产线意外跳电,旗下位于企兴(Kiheung)的12吋厂与8吋厂,分别负责生产NANDFlash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟,由于情形不明,厂商相继缩手,同步停止DRAM、NANDFlash报价。三星内存颗粒供应量高居全球第一,龙头大厂产能中断无疑对DRAM、NANDFlash供应雪上加霜。三星

  DRAM供不应求情况恐怕将雪上加霜!三星半导体昨日下午惊传跳电,三星旗下企兴厂不明原因间歇性跳电,内存模块厂商表示,跳电的生产线为一条新的12吋产线,以及一座旧的的8吋厂,其中12吋厂以生产NANDFlash为主,8吋厂则是主攻利基型DRAM,跳电时间长达30分钟至40分钟。

  消息来源指出,三星的生产线集中在2大厂区,其中之一就是昨日下午跳电的企兴厂,由于三星的电力供应是连结整个厂区,消息来源指出,电力中断实际上是牵涉到5条线至6条线的电力供应,在状况不明之下,厂商已经暂时停止报价,待今日状况进一步明朗之后,再作打算。

  国内颗粒业者表示,三星跳电的DRAM生产线并非主流规格,主要以生产静态随机存取内存(SDR),以及DDR1为主,因此对于大宗标

下一篇:上一篇:
此文关键字:三星

关于“三星 ”的相关资讯